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骁龙898首个跑分出炉：搭载vivo新机，三星4nm制程
据知名数码博主 @数码闲聊站 今日消息，骁龙898（sm8450）首个Geekbench跑分出炉，搭载该处理器的是vivo尚未推出的新旗舰手机。根据Geekbench列表信息，搭载骁龙898芯片的vivo新机的单核跑分为720分，多核跑分为1919分...
手机互联 2021-09-04 09:50:09 -
台积电3nm制程工艺量产将推迟：最多推迟4个月
据国外媒体报道，5nm制程工艺量产已超过1年的台积电，正在全力推进3nm工艺的量产事宜，他们的3nm工艺计划在今年风险试产，明年下半年正式量产。但外媒最新的报道显示，台积电3nm制程工艺的量产时间将推迟，最多推迟4个月...
手机互联 2021-08-31 00:47:15 -
从5nm+制程聊起半导体工艺制程的龙虎斗
随着9月的来临，科技届年度春晚——苹果秋季发布会也将如约而至。不同于前几年，苹果在新品保密工作上的严丝合缝，这几年随着苹果全球布局产业链，产品保密的难度和可操作性近乎失衡，几乎每年的苹果新品都会被提前曝光，而今年更是如此...
手机互联 2021-08-27 10:17:22 -
6nm制程工艺，联发科发布天玑920和天玑8105G移动芯片
【天极网手机频道】8月11日，联发科发布了两款5G移动芯片：天玑920和天玑810。近两年来联发科的天玑系列芯片备受好评，尤其是去年的天玑1000和天玑1000+，在中端机市场几乎拿下近半的份额...
电信通讯 2021-08-12 10:47:46 -
联发科发布天玑920和天玑8105G芯片采用6nm制程
日前，联发科宣布推出天玑920和天玑810芯片。它们是天玑5G系列芯片的最新成员，旨在为“5G智能手机用户带来非凡的移动体验”...
手机互联 2021-08-12 01:03:40 -
顺丰携手中国移动打造5G物流；联发科年底将推出基于4纳米制程的5G旗舰芯片36氪5G创新日报0730
作者：李亚静（邮箱：liyajing@36kr.com）编辑：石亚琼（邮箱：syq@36kr.com）5G新应用顺丰携手中国移动打造5G物流7月30日，据顺丰消息，顺丰速运（宁夏）有限公司与中国移动通信集团宁夏有限公司、中国移动通信集团终端有限公司宁夏分公司签署三方合作框架协议。三方将在物流快递业务、信息化建设、产品联合营销等领域展开深入合作，共享全国物流网络资源，打造5G与物流产业融合新生态...
电信通讯 2021-07-31 10:26:25 -
联发科放大招！年底推首款5G旗舰级芯片，采用台积电4纳米制程！
当高通和三星还停留在5纳米制程、暂无4纳米的确认消息时，联发科已官宣年底推首款5G旗舰级芯片，采用台积电4纳米制程。这意味着联发科将成为全球第一家推出4纳米芯片的芯片厂商...
电信通讯 2021-07-28 10:44:08 -
台积电拟上调南京厂28nm扩产目标为七年来最大成熟制程扩产
摘要：台积电看好车用芯片及数字转型对28nm需求强劲，计划将南京厂28nm扩建计划由原每月4万片产能上修至10万片，增幅高达1.5倍。台湾经济日报7月27日周二报道，台积电看好车用芯片及数字转型对28nm需求强劲，计划将南京厂28nm扩建计划由原每月4万片产能上修至10万片，增幅高达1.5倍，为近七年在成熟制程上最大手笔的扩充案...
业界动态 2021-07-27 09:55:13 -
三星推8nm射频芯片制程，抢攻5G领域
IT之家 6 月 15 日消息 三星电子上周高调宣布开发出 8nm 射频（RF）芯片制程技术，希望抢攻 5G 领域晶圆代工订单。 据悉，三星开发了一种独特的 8nm 射频专用架构，名为 RFextremeFET (RFeFET™)，可以显着改善射频特性，同时使用更少的功率...
电信通讯 2021-06-15 10:37:31 -
制程工艺已逼近极限芯片将在中国超越摩尔定律
28nm、14nm、7nm、5nm、3nm……芯片巨头们都在追求更小的制程，芯片真的越小越好吗？制程工艺达到极限后还能怎么提升？的确，更小工艺制程可以大幅提高晶体管的密度，会带来性能的大幅提升，同时带来更低的功耗。但目前的3nm已基本接近工艺极限...
手机互联 2021-06-13 09:12:22 -
台积电宣布推出6nmRF（N6RF）制程：较上代效能提升超16%
IT之家 6 月 2 日消息2021 年线上技术论坛于 6 月 1 日于北美、6 月 2 日于中国、欧洲同步登场，由台积电总裁魏哲家率领高管专题演讲。 台积电在本次论坛上首次发布 6nm RF（N6RF）制程，将先进的 N6 逻辑制程所具备的功耗、效能、面积优势带入到 5G 射频（RF）与 WiFi 6/6e 解决方案...
电信通讯 2021-06-02 12:20:52 -
台积电取得重大突破：1nm以下制程挑战摩尔定律
近日，台积电联合台大与美国麻省理工学院（MIT）官方宣布，在1nm以下芯片制程方面取得重大突破。研究发现，二维材料结合“半金属铋（Bi）”能大幅降低电阻并提高传输电流，实现接近量子极限的能效，解决了长期以来二维材料高电阻及低电流等问题，有助实现半导体1nm以下制程挑战...
手机互联 2021-05-22 09:49:58
