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  • DRAM合约价飙升 受三星18nm工艺芯片召回影响

    DRAM合约价飙升 受三星18nm工艺芯片召回影响

    业界消息指出,三星电子自2月中旬起,陆续召回部分序号的18纳米制程DRAM模组,原因在于这些18纳米DRAM会导致电脑系统出错及出现蓝屏。由于三星在全球PC DRAM市占过半,据传召回的DRAM模组数量达10万条,业界认为将导致3月DRAM缺货雪上加霜,合约价将再见飙涨走势...

    业界动态 2017-03-06 17:50:08
  • Intel、三星7nm工艺受阻 遇到瓶颈了

    Intel、三星7nm工艺受阻 遇到瓶颈了

    站长搜索3月2日消息 虽然台积电号称自己很快将进入7nm工艺,甚至连5nm和3nm的工艺都已经在设计验证了,但是凡事还是要摆事实讲道理。作为半导体行业领头羊的三星和Intel均表示,7nm的阻碍前所未有的大,所需要的EUV(极紫外光刻)光刻机商用问题十分严重...

    业界动态 2017-03-02 15:10:09
  • 三星正在召回部分18nm工艺DRAM芯片 内存价格还要涨

    三星正在召回部分18nm工艺DRAM芯片 内存价格还要涨

    三星最近因为各种各样的事情被搞得焦头烂额,先是最有可能成为机皇的Galaxy Note 7因为电池问题提前收场,随后管理层又出现重大变故。不过他们的霉运似乎还没结束,日前有消息称三星的DRAM产品也出现问题了,需要召回一批基于18nm工艺的DRAM芯片...

    业界动态 2017-03-02 11:50:09
  • 28nm可来内地 联电14nm FinFET工艺正式量产

    28nm可来内地 联电14nm FinFET工艺正式量产

    TSMC台积电在28nm、20nm及16nm FinFET工艺上的领先使得全球代工市场一家独大,TSMC自己占据了60%的份额,远超三星、GF格罗方德、UMC联电及大陆的SMIC中芯国际,昨天又公布了雄心勃勃的7nm及5nm计划。今年1月份UMC联电宣布自家的14nm FinFET工艺将在Q1季度量产,一个月的今天UMC又宣布14nm工艺已经为客户量产芯片...

    业界动态 2017-02-24 17:45:12
  • 已着手3nm工艺研发 台积电5nm工艺预计2019年试产

    已着手3nm工艺研发 台积电5nm工艺预计2019年试产

    Intel此前在2017年投资者会议上宣称他们的半导体工艺依然领先对手3年时间,结果被人嘲讽为PPT制敌,因为三星、TSMC的10nm工艺已经开始量产了,Intel的10nm工艺要等到今年底才能问世。对TSMC台积电来说,他们的工艺之前确实落后Intel一两代,但在10nm节点开始弯道超车,未来的工艺发展速度更是(官方宣传中)超过了Intel,2018年打算量产7nm,而2019年则会试产5nm工艺,现在也着手研发更先进的3nm工艺了...

    业界动态 2017-02-24 07:00:19
  • 下代酷睿仍用14nm工艺,性能已等于三星10nm Intel

    下代酷睿仍用14nm工艺,性能已等于三星10nm Intel

    (公众号:雷锋网)消息:2月10日,英特尔在投资者会议上正式发布了第8代酷睿处理器,将于今年下半年亮相。遗憾的是,第8代酷睿处理器并没有采用传闻中的10nm工艺,而是依旧沿用14nm工艺,英特尔称之为“Advancing Moore‘s Law on 14 nm”...

    业界动态 2017-02-13 08:45:06
  • 22纳米工艺 格罗方德12英寸晶圆厂落户成都

    22纳米工艺 格罗方德12英寸晶圆厂落户成都

    全球第二大晶圆代工厂格罗方德(GlobalFoundries)今天宣布,携手成都市政府,在成都高新区建立全新的合资晶圆制造厂,双方正式签约并举行开工仪式。2月10日,全球第二大晶圆代工厂格罗方德在成都投资的12英寸晶圆厂正式开动建设...

    业界动态 2017-02-10 16:50:09
  • 联想LTS工艺可降低35%碳排放,并免费推广 重大突破

    联想LTS工艺可降低35%碳排放,并免费推广 重大突破

    困扰电子产品制造十几年的高热量、高能量、高二氧化碳排放量,三大难题终于有了突破。据外媒2月8日消息,联想正式公布了“新型低温锡膏(LTS)工艺”,将节省高达35%的碳排放,还能同时提高电脑可靠性...

    业界动态 2017-02-10 01:00:11
  • 三星仍不成熟 台积电7nm工艺良率“健康”

    三星仍不成熟 台积电7nm工艺良率“健康”

    Intel宣布投资70亿美元升级Fab 42工厂,3-4年后准备生产7nm工艺,拉开了下下代半导体工艺竞争的帷幕。三星、TSMC日前也在ISSCC会议上公布了自家的7nm工艺进展,TSMC展示了7nm HKMG FinFET工艺的256Mb SRAM芯片,核心面只有16nm工艺的34%,而且良率很好,而三星展示的7nm SRAM芯片只有8Mb,更多的是研究性质,他们要等EUV光刻工艺成熟...

    业界动态 2017-02-09 17:15:26
  • 今年第一季度开始量产 联电14nm FinFET工艺研发成功

    今年第一季度开始量产 联电14nm FinFET工艺研发成功

    凭借28nm、20nm及16nm FinFET工艺上的领先,TMSC台积电这几年几乎垄断了全球晶圆代工业,2016年代工产值约为500亿美元,TSMC一家就占据60%的份额,远高于三星、GlobalFoundries及UMC联电。台湾地区之前有TSMC台积电、UMC台联电双雄,不过联电在28nm工艺之后不论营收还是工艺技术都已经大幅落后于TSMC,好在他们现在也开始量产14nm工艺了,官方表示联电的14nm工艺表现符合业界水准,良率也达到了客户要求...

    业界动态 2017-01-24 11:15:09
  • EUV光刻工艺还可用15年 摩尔定律未亡

    EUV光刻工艺还可用15年 摩尔定律未亡

    半导体制造工艺进入10nm之后,难度越来越大,Intel为此多次调整了产品策略,10nm工艺的产品推迟到今年底,以致于很多人认为摩尔定律将死。推动科技进步的半导体技术真的会停滞不前吗?这也不太可能,7nm工艺节点将开始应用EUV光刻工艺,研发EUV光刻机的ASML表示EUV工艺将会支持未来15年,部分客户已经在讨论2030年的1.5nm工艺路线图了...

    业界动态 2017-01-21 13:20:04
  • 10nm工艺领先三星/台积电好多年,18年代工ARM芯片 Intel

    10nm工艺领先三星/台积电好多年,18年代工ARM芯片 Intel

    据海外媒体报道,英特尔(Intel)日前宣布将推出10纳米芯片,搭载该芯片的处理器预计2017年推出,此消息一出,也等于驳斥外界认为摩尔定律发展已放缓的说法。评论指出,虽然其他厂商也推出10纳米技术,但各家标准并未统一,而且英特尔在10纳米技术仍维持数年的领先优势...

    业界动态 2017-01-20 08:30:10

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