6月28日消息，近日，日本研究人员声称已经开发出可以在磁性和非磁性状态之间来回快速切换的储存材料和装置，这意味着他们可以将固态驱动器和USB闪存驱动器的存储容量翻倍。据了解，在磁存储设备当中，磁性膜在不同区域的磁化方向就代表了数据，根据这一特性，日本研究人员认为，如果存储材料可以在磁性和非磁性状态之间来回迅速切换，则有可能将目前的0/1形式存储的数据添加A/B磁存储形式，即可将存储容量翻倍
6月28日消息，近日，日本研究人员声称已经开发出可以在磁性和非磁性状态之间来回快速切换的储存材料和装置，这意味着他们可以将固态驱动器和USB闪存驱动器的存储容量翻倍。
据了解，在磁存储设备当中，磁性膜在不同区域的磁化方向就代表了数据，根据这一特性，日本研究人员认为，如果存储材料可以在磁性和非磁性状态之间来回迅速切换，则有可能将目前的0/1形式存储的数据添加A/B磁存储形式，即可将存储容量翻倍。
日本研究人员为此研发了过渡金属氧化物来作为存储材料，实现了在非磁性不导电状态和高导电性金属磁体状态之间的自由切换。而且这种材料对环境温度要求不高，装置小型化后，可降低切换耗时并用于商业应用。
声明：本文内容来源自网络，文字、图片等素材版权属于原作者，平台转载素材出于传递更多信息，文章内容仅供参考与学习，切勿作为商业目的使用。如果侵害了您的合法权益，请您及时与我们联系，我们会在第一时间进行处理！我们尊重版权，也致力于保护版权，站搜网感谢您的分享！
