三星Galaxy S25系列内存供应遇阻：1nm LPDDR良率不足成阻碍
三星Galaxy S25系列内存供应遇阻：1nm LPDDR良率不足成阻碍IT之家9月4日消息，据韩媒ZDNETKorea报道，三星电子MX部门日前向DS部门表达了对面向Galaxy S25系列手机的1nm LPDDR内存样品供应延误的担忧。三星电子于2023年5月启动了1nm工艺16Gb DDR5内存的量产，并在当年9月发布了1nm 32Gb DDR5，一直以来都在积极推进1nm LPDDR移动内存产品的研发工作
三星Galaxy S25系列内存供应遇阻：1nm LPDDR良率不足成阻碍
IT之家9月4日消息，据韩媒ZDNETKorea报道，三星电子MX部门日前向DS部门表达了对面向Galaxy S25系列手机的1nm LPDDR内存样品供应延误的担忧。三星电子于2023年5月启动了1nm工艺16Gb DDR5内存的量产，并在当年9月发布了1nm 32Gb DDR5，一直以来都在积极推进1nm LPDDR移动内存产品的研发工作。然而，ZDNETKorea早在今年6月11日就曾报道，三星电子的1nm DRAM内存产品当时良率不足五成。
报道指出，三星电子DS部门原本计划在8月之前向MX部门供应一定规模的12Gb和16Gb容量的1nm LPDDR内存样品，用于Galaxy S25系列手机的开发。但由于DS部门未能如期提供足够数量的样品，导致Galaxy S25系列的内存供应计划出现问题。知情人士透露，三星电子的1nm LPDDR良率低于预期，影响了内部的供货时间表，MX部门对此提出了抗议，并正在重新评估Galaxy S25系列手机的DRAM供应方案。
根据DRAM产业的一般规律，要实现稳定且经济的大规模生产和供应，内存良率至少需要达到80%。目前，三星电子的1nm LPDDR即使在企业内部供应中也存在不足问题，意味着该产品良率远低于80%的目标。这无疑给三星电子带来了巨大的挑战，不仅可能影响Galaxy S25系列的上市时间，也可能导致其竞争力下降。
三星电子作为全球领先的内存芯片制造商，其内存产品一直备受关注。1nm LPDDR作为下一代移动内存技术，其性能和能效都将有显著提升，对三星电子未来的发展至关重要。此次供应延误问题暴露了三星电子在1nm工艺良率方面的挑战，也为其未来的发展蒙上了一层阴影。
为了克服这一挑战，三星电子需要尽快提高1nm LPDDR的良率，确保供应链的稳定。同时，三星电子还需要积极寻求其他供应商，以确保Galaxy S25系列的内存供应，避免因单个供应商的良率问题而影响产品的发布计划。
此次事件也为其他芯片厂商敲响了警钟，在追求更先进的工艺技术的同时，也要重视良率问题，避免因良率不足而影响产品供应和市场竞争力。
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