按照台积电（TSMC）的计划，从2022年到2025年，将陆续推出N3、N3E、N3P、N3X等制程，后续还会有优化后的N3S制程，加上可以使用FINFLEX技术，可涵盖智能手机、物联网、车用芯片、HPC等不同平台的使用需求。台积电在N3制程节点仍使用FinFET晶体管，不过2025年量产的N2工艺将使用全新的Gate-all-aroundFETs（GAAFET）晶体管
按照台积电（TSMC）的计划，从2022年到2025年，将陆续推出N3、N3E、N3P、N3X等制程，后续还会有优化后的N3S制程，加上可以使用FINFLEX技术，可涵盖智能手机、物联网、车用芯片、HPC等不同平台的使用需求。台积电在N3制程节点仍使用FinFET晶体管，不过2025年量产的N2工艺将使用全新的Gate-all-around FETs（GAAFET）晶体管。
据相关媒体的报道，台积电正在做更长远的准备，其N1工艺已处于早期规划阶段。第一个采用N1工艺的晶圆厂将建在中国台湾桃园的一个科学园区内，距离台北不到一小时车程。在同一个园区里，台积电已经有芯片封装和测试设施，是一个筹建晶圆厂的合适地点，预计到2027年开始投入生产。据了解，台积电所谓的N1工艺最终可能是1.4nm的制程节点。
尽管全球经济出现下滑趋势，但台积电仍致力于推进半导体工艺的研发，并为此建造新的晶圆厂。台积电原计划在本季度量产N3工艺，预计该制程节点在2023年将贡献其总收入的4%到6%。台积电也很少透露N2工艺的情况，似乎晶体管结构和工艺进度都达到了预期。
台积电暂时还没有证实任何细节，对相关报道进行回应。
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